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型号 SI5511DC-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 PDF
代理商 SI5511DC-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4A，3.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 55 毫欧 @ 4.8A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 7.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 435pF @ 15V
功率 - 最大 3.1W，2.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装 1206-8 ChipFET?
包装 标准包装
其它名称 SI5511DC-T1-GE3DKR
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